29.045. Полупроводниковые материалы
ГОСТ 4.64-80.
Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателейдействующий
от: 01.08.2013
Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции
ГОСТ 4.64-80.
Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателейдействующий
от: 22.03.2010
Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции
ГОСТ 2169-69.
Кремний технический. Технические условиядействующий
от: 01.08.2013
Silicon technical. Specifications
Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелей
ГОСТ 2169-69.
Кремний технический. Технические условиядействующий
от: 22.03.2010
Silicon technical. Specifications
Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелей
ГОСТ 19014.0-73.
Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализадействующий
от: 01.08.2013
Crystal silicon. General requirements for methods of chemical analysis
Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам химического анализа кристаллического кремния
ГОСТ 19014.1-73.
Кремний кристаллический. Методы определения алюминиядействующий
от: 01.08.2013
Crystal silicon. Methods of aluminium determination
Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии
ГОСТ 19014.1-73.
Кремний кристаллический. Методы определения алюминиядействующий
от: 22.03.2010
Crystal silicon. Methods of aluminium determination
Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии
ГОСТ 19014.2-73.
Кремний кристаллический. Методы определения железадействующий
от: 01.08.2013
Crystal silicon. Methods of iron determination
Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнии
ГОСТ 19014.3-73.
Кремний кристаллический. Методы определения кальциядействующий
от: 01.08.2013
Crystal silicon. Methods of calcium determination
Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии
ГОСТ 19014.3-73.
Кремний кристаллический. Методы определения кальциядействующий
от: 22.03.2010
Crystal silicon. Methods of calcium determination
Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии
01.01.2024