31.080.30. Транзисторы
ГОСТ 14949-69.
Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого примененияотменён
от: 01.08.2013
Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices
ГОСТ 15172-70.
Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметровдействующий
от: 01.08.2013
Transistors. List of basic and reference electrical parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров
ГОСТ 16947-71.
Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого примененияотменён
от: 01.08.2013
Transistors type Гt701a for wide using equipment
ГОСТ 17466-80.
Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметрыдействующий
от: 01.08.2013
Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров
ГОСТ 18604.0-83.
Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметровдействующий
от: 01.08.2013
Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
ГОСТ 18604.1-80.
Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частотедействующий
от: 01.08.2013
Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
ГОСТ 18604.1-80.
Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частотедействующий
от: 22.03.2010
Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
ГОСТ 18604.2-80.
Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи токадействующий
от: 01.08.2013
Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
ГОСТ 18604.2-80.
Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи токадействующий
от: 22.03.2010
Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
ГОСТ 18604.3-80.
Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходовдействующий
от: 01.08.2013
Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя
с использованием моста.
Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности
01.01.2024
